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NTK3139PT5G
1个P沟道 耐压:20V 电流:870mA
- 描述
- 功率 MOSFET，20 V，780 mA，单 P 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3139PT5G
- 商品编号
- C415718
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可确保功率损耗最小并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装，节省电路板空间
- MV前缀适用于汽车及其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-便携式和电池供电产品的电源管理-计算机-打印机-PCMCIA卡-移动电话和无绳电话