FQPF3N90
N沟道,电流:2.1A,耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF3N90
- 商品编号
- C3290581
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 可提供2.5 V栅极驱动
- 导通电阻低
- 典型RDS(on) = 0.043 Ω（ID = 10 A、VGS = 4 V、Ta = 25°C时）
- 漏电流低
- 高速开关