FQPF6N60
N沟道 MOSFET,电流:3.6A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF6N60
- 商品编号
- C3290573
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- RDS(on) = 3.5 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 77 A
- 低品质因数RDS(on)*QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统