FQPF19N10L
13.6A, 100V, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF19N10L
- 商品编号
- C3290563
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 13.6A、100V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.1Ω
- 低栅极电荷(典型值14nC)
- 低Crss(典型值35pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
-高效开关型DC/DC转换器-直流电机控制