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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，并且具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，每单位面积的导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻较低
- 100% 经过雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用