RM3401Y
P沟道,电流:4.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM3401Y
- 商品编号
- C3290001
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
RM2333A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -4.2A
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 130 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 75 mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 采用表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理