HAT2199R-EL-E
N通道功率MOSFET,电流:11A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT2199R-EL-E
- 商品编号
- C3289879
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 适用于低噪声、高增益可控输入级，频率高达 1 GHz
- 工作电压 5 V
- 集成偏置网络
- 无铅（符合 RoHS 标准）封装
- 符合 AEC Q101 标准
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