温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD50R1K4CEAUMA1

1个N沟道耐压:500V 电流:3.1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD50R1K4CEAUMA1
商品编号: C3289118
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.504167克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,在满足最高效率标准的同时,可用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并且在市场上拥有最佳的成本降低性能比。

商品特性

-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用

应用领域

-例如PC主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	3.1A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	1.4Ω@900mA,13V

	属性	参数值
	功率(Pd)	42W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	3.5V@70uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	8.2nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	178pF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)