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IPA65R150CFDXKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:22.4A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPA65R150CFDXKSA1
商品编号: C3288989
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件兼具快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还具备极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合，使得该器件尤其适用于谐振开关应用，能让应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

超快体二极管
极高的换相耐用性
由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
易于使用/驱动
符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
无铅镀层，模塑料无卤素

应用领域

650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级，例如用于个人电脑电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	22.4A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	150mΩ@9.3A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	34.7W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4.5V@1mA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	86nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	2.34nF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)