BB504CDS-TL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50fF | |
| 输出电容(Coss) | 1.8pF |
商品特性
- 内置偏置电路;降低使用部件成本和印刷电路板空间。
- 低噪声;在 f = 200MHz 时,典型噪声系数 NF = 1.0 dB;在 f = 900MHz 时,典型噪声系数 NF = 1.75 dB
- 高增益;在 f = 200MHz 时,典型功率增益 PG = 30 dB;在 f = 900MHz 时,典型功率增益 PG = 22 dB
- 抗静电放电;内置静电放电吸收二极管。在 C = 200pF、Rs = 0 的条件下,可承受高达 200V 的电压。
- 提供微型模塑封装;CMPAK - 4(SOT - 343mod)
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。