MTSF2P03HDR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用了高单元密度的HDTMOS工艺。低漏源导通电阻（rDS(on)）可确保功率损耗最小化并节约能源，使该器件非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- 低漏源导通电阻（rDS(on)），可提高效率并延长电池使用寿命
- 微型TSOP 6表面贴装封装，节省电路板空间
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理