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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.524nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 544pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合在小空间内需要超低rDS(on)的应用，如高性能电压调节模块（VRM）、负载点（POL）和理想二极管（Oring）功能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时，最大rDS(on) = 1.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 25 A时，最大rDS(on) = 1.8 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流降压转换器
- 负载点
- 高效负载开关和低端开关
- 理想二极管FET