NTMD3P03R2
双通道P沟道MOSFET,电流:-3.05A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD3P03R2
- 商品编号
- C3282767
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.05A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- 双SOIC-8封装的高效组件
- 具有低RDS(on)的高密度功率MOSFET
- 微型SOIC-8表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供SOIC-8封装的安装信息
- 提供无铅封装
应用领域
-DC-DC转换器-低压电机控制-便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话