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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 456pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 由于采用表面贴装封装，可简化制造过程，实现高密度安装，并使终端产品小型化。
应用领域
- 超高速开关