SPD04P10PG
1个P沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD04P10PG
- 商品编号
- C3282162
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@2.8A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@380uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 319pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS CFD2的继任者。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 正常电平
- 雪崩额定
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥（ZVS）、LLC应用 - 服务器
- 电信
- 电动汽车充电
- 太阳能