FQA34N20L
N沟道,电流:34A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA34N20L
- 商品编号
- C3281798
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 34A、200V,VGS = 10V时,RDS(导通) = 0.075Ω
- 低栅极电荷(典型值55nC)
- 低反向传输电容(典型值52pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 低电平栅极驱动要求,允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
-高效开关式DC/DC转换器-开关电源-电机控制