FDD6796
N沟道,电流:40A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6796
- 商品编号
- C3281316
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 435pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 20 A 时,最大 rDS(on) = 5.7 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 15.5 A 时,最大 rDS(on) = 9.0 m Ω
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
- 中间总线架构的VRM