FQD16N15TM
150V, 11.8A, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD16N15TM
- 商品编号
- C3281286
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这些产品是专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 最大RDS(on) = 25 mΩ（VGS = 10 V，ID = 20 A）(NP40N10YDF)
- 最大RDS(on) = 26 mΩ（VGS = 10 V，ID = 20 A）(NP40N10VDF)
- 最大RDS(on) = 27 mΩ（VGS = 10 V，ID = 20 A）(NP40N10PDF)
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 2100 pF（VDS = 25 V，VGS = 0 V）
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计，并符合AEC - Q101标准
应用领域
- 汽车领域