RFD4N06LSM9A
N-通道,电流:4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD4N06LSM9A
- 商品编号
- C3281285
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下，RDS(on) = 11.5 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 22 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 消费电器-LED电视-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源