RFD4N06LSM9A
N-通道,电流:4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD4N06LSM9A
- 商品编号
- C3281285
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFD4N06L、RFD4N06LSM 是 N 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平(5 伏)驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在 3 - 5 伏范围内的栅极偏置下实现全额定导通,从而便于从逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。
商品特性
- 4A、60V
- rDS(ON) = 0.600 Ω
- 针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由 Q - MOS、N - MOS 或 TTL 电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 工作温度 175°C
- 逻辑电平栅极
- 高输入阻抗
应用领域
-可编程控制器-汽车开关-螺线管驱动器