RFG40N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFG40N10
- 商品编号
- C3281069
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM100N60T7采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 100A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ（典型值：5.7 mΩ）
- 具备高静电放电（ESD）能力的特殊工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源