ISL9N306AP3
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N306AP3
- 商品编号
- C3280740
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.0052 Ω(典型值),VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.0085 Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- Qg(典型值)= 30 nC,VGS = 5 V
- Qgd(典型值)= 11 nC
- CISS(典型值)= 3400 pF
应用领域
-DC/DC 转换器