SQP60N06-15_GE3
汽车级N沟道60V MOSFET,电流:56A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQP60N06-15_GE3
- 商品编号
- C3280688
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。
P沟道功率MOSFET专为需要反极性操作便利性的应用而设计。它们保留了更常见的N沟道功率MOSFET的所有特性，如电压控制、快速开关、易于并联以及出色的温度稳定性。
P沟道功率MOSFET适用于与N沟道器件实现互补对称以简化电路的功率级。由于反极性连接提供的电路灵活性，它们在驱动级中也非常有用。应用包括电机控制、音频放大器、开关模式转换器、控制电路和脉冲放大器。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电机控制-音频放大器-开关模式转换器-控制电路-脉冲放大器