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IPD60R1K0CEAUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R1K0CEAUMA1

1个N沟道 耐压:650V 电流:6.8A

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商品型号
IPD60R1K0CEAUMA1
商品编号
C3279113
商品封装
TO-252-3-344​
包装方式
编带
商品毛重
0.52172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)61W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.13mA
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)280pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)21pF

商品概述

CoolMOS 是用于高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE 是一个性价比优化的平台,能满足最高效率标准,适用于消费和照明市场对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时不牺牲易用性,且拥有市场上最佳的降本性能比。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅电镀,无卤素模塑料
  • 适用于标准等级应用

应用领域

  • 例如 PC 主机、适配器、LCD 与 PDP 电视以及室内照明等的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。

数据手册PDF