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IPW60R060C7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:35A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R060C7XKSA1
- 商品编号
- C3278928
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.8mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
CoolMOS™ C7 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新。 600V C7 是首款导通电阻 RDS(on)与芯片面积 A 的乘积低于 1Ω·mm²的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC 和高性能 LLC）
- 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
- 同类最佳的导通电阻 RDS(on)/封装
- 按照 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）标准通过工业级应用认证
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的 PFC 级和 PWM 级（TTF、LLC），例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。
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