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IPP60R120P7XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:26A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP60R120P7XKSA1
商品编号: C3278786
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 3.5克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的卓越耐用性以及出色的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
显著降低开关损耗和传导损耗
所有产品的ESD耐用性极佳，>2kV（HBM）
低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品相比竞品更具优势
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	26A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	120mΩ@8.2A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	95W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4V@410uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	36nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	1.544nF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)