FQU6N25TU
N沟道,电流:4.4A,耐压:250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU6N25TU
- 商品编号
- C3278258
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@200V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 4.4 A、250 V,在VGS = 10 V、ID = 2.2 A时,RDS(on) = 1.0 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值6.6 nC)
- 低Crss(典型值7.5 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器
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