FDU044AN03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:21A 电流:35A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU044AN03L
- 商品编号
- C3278250
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- rDS(ON)=3.6 mΩ(典型值),VGS = 4.5 V,ID = 35 A
- Qg(5)=48 nC(典型值),VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 防抱死制动系统(ABS)
- DC-DC转换器