FQI50N06LTU
N沟道,电流:52.4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI50N06LTU
- 商品编号
- C3278216
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 9 A、500 V，VGS = 10 V 时，RDS(on) = 0.8 Ω
- 低栅极电荷（典型值 28 nC）
- 低 Crss（典型值 24 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器