商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| Id-漏极电流(25℃) | 15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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