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HUFA76437S3ST

1个N沟道耐压:60V 电流:64A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: HUFA76437S3ST
商品编号: C3277654
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而具有出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

超低导通电阻
rDS(ON) = 0.014 Ω,vGS = 10 V
rDS(ON) = 0.017 Ω,vGS = 5 V
仿真模型
温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
Spice和SABER热阻模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线
开关时间与RGS曲线

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	71A
	导通电阻(RDS(on))	17mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	155W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	71nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.23nF
	反向传输电容(Crss)	145pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	695pF