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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB9N50CFTM

500V N沟道MOSFET,电流:9A,耐压:500V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB9N50CFTM
商品编号
C3277653
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))850mΩ@10V
耗散功率(Pd)173W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.03nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF

商品特性

  • 9A、500V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.85Ω
  • 低栅极电荷(典型值28nC)
  • 低Crss(典型值24pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯 (HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF