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DMN3010LK3-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.1A 电流:43A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3010LK3-13
- 商品编号
- C397942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.511克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用超结先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能