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DMN65D8LFb-7B
1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
- 描述
- N沟道 60V 260mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN65D8LFb-7B
- 商品编号
- C397946
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V；2.2Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小尺寸表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护，1.2kV人体模型（HBM）
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等。