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DMN3150LW-7
1个N沟道 耐压:28V 电流:1.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3150LW-7
- 商品编号
- C397976
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 28V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 138mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品特性
- 低导通电阻:
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 88 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 138 mΩ
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准