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FGH75T65SQDT-F155
650 V、75 A场截止型沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，全新系列的第四代场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机、电信、储能系统（ESS）和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH75T65SQDT-F155
- 商品编号
- C398050
- 商品封装
- TO-247-G03
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输出电容(Coes) | 155pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.845nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 114ns | |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 76ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 14pF |