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FCD380N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:10.2A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD380N60E
- 商品编号
- C398044
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间稍慢。该系列产品型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计更易于实现。若应用中需要将开关损耗降至最低并实现更快的开关速度，请考虑选用SuperFET II MOSFET系列。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 320 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 34 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 97 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 集成栅极电阻
- 符合RoHS标准