温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVD5C632NLT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:155A 电流:29A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C632NLT4G
- 商品编号
- C398047
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准