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NVD5C632NLT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:155A 电流:29A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C632NLT4G
- 商品编号
- C398047
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准
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