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DMN3009SK3-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3009SK3-13
- 商品编号
- C397977
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能-DC-DC转换器-工业领域