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DMN63D8LV-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:260mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN63D8LV-7
- 商品编号
- C397982
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等