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DMP2240UDM-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：双P沟道MOSFET。 低导通电阻：150mΩ @ VGS =-4.5V；200mΩ @ VGS =-2.5V；240mΩ @ VGS =-1.8V。 极低的栅极阈值电压：VGS(th) ≤ 1V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2240UDM-7
- 商品编号
- C397948
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 双P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 当VGS = -4.5 V时，导通电阻为150 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，导通电阻为200 mΩ
- 当VGS = -1.8 V时，导通电阻为240 mΩ
- 极低的栅极阈值电压VGS(th) ≤ 1V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准