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DMTH6016LSD-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:7.6A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LSD-13
- 商品编号
- C397954
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.258克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMTH6016LSDQ），相关数据手册可单独获取
应用领域
- 负载开关
- 适配器开关
- 笔记本电脑