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ZXM62P02E6TA
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 描述
- 新一代高密度 MOSFET 采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其成为高效、低压电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXM62P02E6TA
- 商品编号
- C397971
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1个/圆盘
总价金额：
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