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DMN3029LFG-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3029LFG-13
- 商品编号
- C397944
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.07W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS为30V，漏极电流ID为4A
- 当栅源电压VGS为4.5V时，导通电阻RDS(ON)小于60mΩ
- 当栅源电压VGS为10V时，导通电阻RDS(ON)小于50mΩ
应用领域
- 直流风扇
- 充电器、快速开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化，如H桥、逆变器、车载充电器等