- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXBH42N170A
高压、高增益双极MOS晶体管，具备反并联二极管、低导通损耗、低栅极驱动要求和高功率密度，采用国际标准封装
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBH42N170A
- 商品编号
- C3193801
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.7kV | |
| 集电极电流(Ic) | 42A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 265A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 5.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V；5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.92nF | |
| 输出电容(Coes) | 275pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 107pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns；226ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.4mJ；3.43mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 830uJ；430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 330ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高阻断电压
- 国际标准封装
- 反并联二极管
- 低传导损耗
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源 (UPS)
- 交流电机驱动器
- 电容放电电路
- 交流开关