- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXBX50N360HV
BiMOSFET单芯片双极MOS晶体管，高压高频，低传导损耗，易于安装，节省空间，功率密度高
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBX50N360HV
- 商品编号
- C3193926
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 660W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3.6kV | |
| 集电极电流(Ic) | 125A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 420A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.9V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.99nF | |
| 输出电容(Coes) | 195pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 100pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 205ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 低传导损耗
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 开关模式和谐振模式电源
- 电容放电电路
- 激光发生器
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