- 引脚图
- 焊盘图
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IRG7PH35UD1MPBF
IRG7PH35UD1MPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRG7PH35UD1MPBF
- 商品编号
- C3193811
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.94nF | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 620uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低 VcE(On) 沟槽 IGBT 技术
- 低开关损耗
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA）
- 超低 VF 二极管
- 1300V 峰值重复瞬态容量
- 100% 器件经过 ILM@D 测试
- 正 VcE(on) 温度系数
- 紧密的参数分布
- 无铅封装