- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRG7PG42UD-EPBF
IRG7PG42UD-EPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRG7PG42UD-EPBF
- 商品编号
- C3193838
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1kV | |
| 集电极电流(Ic) | 85A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.338nF | |
| 输出电容(Coes) | 124pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 75pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 229ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.105mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.182mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 153ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低VCE(ON)沟槽IGBT技术
- 低开关损耗
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA）
- 所有部件均经过ILM@1测试
- 正VCE(ON)温度系数
- 超快速软恢复共封装二极管
- 参数分布范围窄
- 无铅封装
应用领域
- 不间断电源（U.P.S.）
- 焊接
- 太阳能逆变器
- 感应加热
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