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FF150R12KE3B8引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FF150R12KE3B8

FF150R12KE3B8

商品型号
FF150R12KE3B8
商品编号
C3197157
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)1.25kW
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)150A
集电极脉冲电流(Icm)300A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))3.7V
栅极阈值电压(Vge(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)1.6uC
属性参数值
输入电容(Cies)11nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)500pF
开启延迟时间(Td(on))100ns
关断延迟时间(Td(off))530ns
导通损耗(Eon)14.5mJ
关断损耗(Eoff)11mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

62mm C系列模块采用第二代高速IGBT和碳化硅二极管,适用于高频应用。

商品特性

  • 高短路能力,自限制短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的坚固性
  • VCEsat带正温度系数
  • 封装的CTl > 400
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 绝缘的基板
  • 铜基板
  • 标准封装

应用领域

  • 高频开关应用
  • 医疗应用
  • 电机传动
  • 谐振逆变器应用
  • 伺服驱动器
  • UPS系统

数据手册PDF