- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 65mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 16V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 11GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
BFU530是一款NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装，适用于高速低噪声应用。BFU530属于BFU5晶体管系列，适用于最高2 GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 低噪声、高击穿射频晶体管
- AEC-Q101 合格
- 在900 MHz下最小噪声系数为0.7 dB
- 在900 MHz下最大稳定增益为21.5 dB
- 采用11 GHz fT硅技术
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高2 GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器