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PJC7401_R1_00001
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：RDS(ON), VGS@-10V, ID@-1.5A < 115mΩ。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-1.1A < 130mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-0.6A < 180mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJC7401_R1_00001
- 商品编号
- C391640
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -10V、漏极电流（ID）为 -1.5A 时，导通电阻（RDS(ON)）<115mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -1.1A 时，导通电阻（RDS(ON)）<130mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -0.6A 时，导通电阻（RDS(ON)）<180mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制（PWM）应用等设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物